BANDEJA DE CARBONETO DE SILÍCIO
Aplicações: Processo de gravação ICP para materiais de filme fino de camada epitaxial (GaN, SiO2, etc.) para núcleos de wafer de LED, difusão de semicondutores usando peças cerâmicas de precisão e processo epitaxial MOCVD para wafers semicondutores. As bandejas de cerâmica de carboneto de silício são feitas de material cerâmico de carboneto de silício sinterizado não pressurizado e de alta pureza, que tem as vantagens de alta dureza, resistência ao desgaste, alta condutividade térmica, estabilidade mecânica em alta temperatura e resistência à corrosão, bem como alta precisão e uniformidade de gravação da camada epitaxial de wafer.
Descrição
As bandejas de SiC têm muitas vantagens em comparação com outros tipos de bandejas. Em primeiro lugar, a sua elevada condutividade térmica torna-os ideais para processos de tratamento térmico, como sinterização e brasagem. Eles podem suportar temperaturas de até 1.650 graus sem deformar ou degradar, o que significa que podem ser usados em ambientes agressivos onde outros materiais falhariam.
Em segundo lugar, as bandejas de carboneto de silício são quimicamente inertes e não reagem com a maioria dos produtos químicos, incluindo ácidos, bases e sais. Esse recurso os torna ideais para uso nas indústrias química e farmacêutica, onde produtos químicos agressivos são frequentemente usados.
Em terceiro lugar, as bandejas de SiC são altamente resistentes à abrasão e possuem um baixo coeficiente de expansão térmica. Isso os torna ideais para uso em aplicações de fornos de alta temperatura, onde as peças precisam se encaixar bem e não expandir ou contrair devido a mudanças térmicas.
